Conçu selon des normes d'ingénierie rigoureuses, le module IXBN75N170A incarne la durabilité et la précision dans l'univers de l'électronique de puissance. Ce composant est spécialement développé pour supporter des tensions élevées allant jusqu'à 1700V, assurant une isolation sans faille et une sécurité d'exploitation renforcée pour l'automatisation d'usine.
Chaque unité de la série IXDN55N120D1 intègre des puces de silicium de haute pureté, garantissant des caractéristiques électriques stables même sous des températures ambiantes extrêmes. Cette régularité est indispensable pour les machines de découpe laser et les équipements de diagnostic médical.
| Modèle Référence | Tension d'Isolation | Courant Continu Max | Configuration Diode |
|---|---|---|---|
| IXBN75N170A | 1700 V | 75 A | Simple IGBT |
| IXDN55N120D1 | 1200 V | 55 A | Avec Diode Co-pack |
| IXEN60N120D1 | 1200 V | 60 A | Module Double |
Grâce au substrat en céramique à haute conductivité du IXEN60N120D1, le transfert thermique vers le radiateur se fait instantanément. Cela élimine les points chauds localisés, cause principale de la dégradation prématurée des semi-conducteurs de puissance.
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