Le module double IGBT 2MBI150HB120-50 s'impose comme le composant central de vos infrastructures de conversion d'énergie. Conçu pour répondre aux exigences des environnements électriques sévères, ce semi-conducteur de puissance garantit une commutation fluide et des pertes par conduction minimales. Sa structure robuste permet une intégration optimale dans les variateurs de vitesse et les alimentations sans interruption.
Ce module intègre deux transistors de puissance montés en demi-pont, une configuration standard indispensable pour le contrôle précis des moteurs asynchrones. Grâce à une gestion thermique optimisée par sa plaque de base isolée, il dissipe efficacement la chaleur, prolongeant ainsi la durée de vie de l'ensemble de votre armoire électrique.
| Caractéristique | Valeur nominale |
|---|---|
| Modèle principal | 2MBI150HB120-50 |
| Configuration | Dual IGBT (Demi-pont) |
| Tension collecteur-émetteur | 1200 V |
| Courant de collecteur continu | 150 A |
| Boîtier | Module standard isolé |
L'installation de ce composant d'origine permet de stabiliser les tensions de sortie et de réduire les harmoniques sur le réseau. Pour le technicien de maintenance, cela se traduit par des interventions moins fréquentes et une prévention efficace des pannes de surchauffe sur les lignes de production continues.
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