GD150HFL120C2S G4 module IGBT à faibles pertes commutations rapides 1200V

Efficacité thermique supérieure pour la commutation haute fréquence

Le module GD150HFL120C2S G4 a été développé avec l'objectif de minimiser les pertes par commutation. Grâce à une diode de commutation rapide intégrée en inverse (diode de roue libre), ce composant gère les inversions de polarité avec une souplesse remarquable, protégeant le transistor principal contre les pics de tension inductifs destructeurs.

Fiche de caractéristiques fonctionnelles

1. Tension d'isolation du boîtier supérieure à 2500V AC pendant une minute.
2. Température de jonction maximale admissible en fonctionnement continu de 150°C.
3. Faible inductance interne pour limiter les surtensions au blocage.

Pourquoi choisir la série GD150HFL120C2S G4 ?

Dans les applications de chauffage par induction ou les onduleurs de soudage, la fréquence de découpage élevée nécessite un composant réactif. Ce module de 150A offre le parfait compromis entre compacité et capacité de transport du courant, permettant aux concepteurs de circuits de réduire la taille des filtres de sortie inductifs et capacitifs.